വെഹുവ ടെക്നോളജി കോ., ലിമിറ്റഡ് 10 വർഷത്തിലധികം സാങ്കേതികവിദ്യ ശേഖരിക്കുന്ന ഒരു കൃത്യമായ സിഎൻസി മാച്ചിംഗ് കമ്പനിയാണ്, ഇനിപ്പറയുന്നവ ഉൾപ്പെടെ ബിസിനസ്സ് നൽകുന്നു: കൃത്യമായ സിഎൻസി ടേണിംഗ്, സിഎൻസി പ്രിസിഷൻ പാർട്സ് പ്രോസസ്സിംഗ്, അലുമിനിയം അലോയ് പ്രോസസ്സിംഗ്, സങ്കീർണ്ണമായ ഭാഗങ്ങൾ സിഎൻസി പ്രോസസ്സിംഗ്, സ്റ്റാൻ‌ഡേർഡ് അല്ലാത്ത ഭാഗങ്ങൾ വൈവിധ്യമാർന്ന കൃത്യത സിഎൻസി മാച്ചിംഗ്; ഞങ്ങൾക്ക് പരിചയസമ്പന്നരായ എഞ്ചിനീയർമാരും സാങ്കേതിക വിദഗ്ധരും മികച്ച വിദഗ്ധരായ സാങ്കേതിക വിദഗ്ധരും ഉണ്ട്, കൂടിയാലോചിക്കാൻ സ്വാഗതം.
അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ സിഎൻസി മാച്ചിംഗിന്റെ വർഗ്ഗീകരണ തരങ്ങൾ എന്തൊക്കെയാണ്?
ഒന്ന്, അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ സിഎൻസി മാച്ചിംഗ്
പ്രധാനമായും അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ ടേണിംഗ്, മിറർ ഗ്രൈൻഡിംഗ്, ഗ്രൈൻഡിംഗ് എന്നിവയുണ്ട്. മൈക്രോ ടേണിംഗിനായി സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ ഡയമണ്ട് ടേണിംഗ് ഉപകരണം നന്നായി പൊടിച്ചതിന് ശേഷം അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ ലാത്തിൽ, ഏകദേശം 1 മൈക്രോൺ മാത്രം കനം കുറയ്ക്കുന്നു, പലപ്പോഴും ഫെറസ് അല്ലാത്ത ലോഹ വസ്തുക്കൾ പ്രോസസ്സ് ചെയ്യാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു ഉയർന്ന കൃത്യത, വളരെ മിനുസമാർന്ന ഉപരിതല ഭാഗങ്ങൾ പോലുള്ള ഗോളാകൃതി, ആസ്‌ഫെറിക് ഉപരിതലവും ഉപരിതല പ്രതിഫലനവും.
ഉദാഹരണത്തിന്, ന്യൂക്ലിയർ ഫ്യൂഷൻ ഉപകരണങ്ങളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന 800 മില്ലീമീറ്റർ വ്യാസമുള്ള ആസ്‌ഫെറിക് റിഫ്ലക്ടറുകൾക്ക് 0.1 മൈക്രോൺ വരെ ഉയർന്ന കൃത്യതയുണ്ട്, ഉപരിതലത്തിന്റെ പരുക്കൻത Rz0.05 മൈക്രോൺ ആണ്.
രണ്ട്, അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ സിഎൻസി പ്രിസിഷൻ ടേണിംഗ് പാർട്സ് സ്പെഷ്യൽ പ്രോസസ്സിംഗ്
യന്ത്ര കൃത്യത നാനോമീറ്ററിലേക്കും ഒടുവിൽ ആറ്റോമിക് യൂണിറ്റിലേക്കും (ആറ്റോമിക് ലാറ്റിസ് ദൂരം 0.1 ~ 0.2 എൻഎം ആണ്) ലക്ഷ്യമാക്കി, മാച്ചിംഗ് രീതി നിറവേറ്റാൻ കഴിയില്ല, ഒരു പ്രത്യേക പ്രോസസ്സിംഗ് രീതി ആവശ്യമാണ്, അതായത് രാസ energy ർജ്ജം, ഇലക്ട്രോകെമിസ്ട്രി എനർജി, ചൂട് അല്ലെങ്കിൽ വൈദ്യുതി അങ്ങനെ, ആറ്റങ്ങൾ തമ്മിലുള്ള ബന്ധിത beyond ർജ്ജത്തിനപ്പുറം ഈ make ർജ്ജം ഉണ്ടാക്കുക, അതുവഴി അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ മെഷീനിംഗിന്റെ ലക്ഷ്യം നേടുന്നതിനായി വർക്ക്പീസ് അഡീഷൻ, ബൈൻഡ്, ലാറ്റിസ് ഡീഫോർമേഷൻ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിലെ ആറ്റങ്ങൾ തമ്മിലുള്ള ഭാഗം നീക്കംചെയ്യുന്നു.
ഈ പ്രക്രിയകളിൽ മെക്കാനിക്കൽ-കെമിക്കൽ പോളിഷിംഗ്, അയോൺ സ്പട്ടറിംഗ്, അയോൺ ഇംപ്ലാന്റേഷൻ, ഇലക്ട്രോൺ ബീം വായുസഞ്ചാരം, ലേസർ ബീം പ്രോസസ്സിംഗ്, മെറ്റൽ ബാഷ്പീകരണം, മോളിക്യുലാർ ബീം എപ്പിറ്റാക്സി എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.
നീക്കംചെയ്‌തതോ ചേർത്തതോ ആയ ഉപരിതല പാളി വസ്തുക്കളുടെ അളവിലുള്ള മികച്ച നിയന്ത്രണമാണ് ഈ രീതികളുടെ സവിശേഷത. എന്നിരുന്നാലും, അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ മാച്ചിംഗ് കൃത്യത ലഭിക്കാൻ, അത് ഇപ്പോഴും കൃത്യമായ മാച്ചിംഗ് ഉപകരണങ്ങളെയും കൃത്യമായ നിയന്ത്രണ സംവിധാനത്തെയും ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു, മാത്രമല്ല തീവ്ര കൃത്യത ഉപയോഗിക്കുന്നു ഇടനിലക്കാരനായി മാസ്ക്.
ഉദാഹരണത്തിന്, മാസ്കിലെ ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റിനെ തുറന്നുകാട്ടാൻ ഇലക്ട്രോൺ ബീം ഉപയോഗിക്കുന്നതാണ് vlsi യുടെ പ്ലേറ്റ് നിർമ്മാണം (ഫോട്ടോലിത്തോഗ്രാഫി കാണുക), അതിനാൽ ഫോട്ടോറിസ്റ്റിന്റെ ആറ്റങ്ങൾ ഇലക്ട്രോണുകളുടെ സ്വാധീനത്തിൽ നേരിട്ട് പോളിമറൈസ് ചെയ്യപ്പെടുന്നു (അല്ലെങ്കിൽ അഴുകുന്നു), തുടർന്ന് ഭാഗം മാസ്ക് നിർമ്മിക്കാൻ ഡവലപ്പർ പോളിമർ അല്ലെങ്കിൽ പോളിമറൈസ് ചെയ്തിട്ടില്ല. ഇലക്ട്രോൺ ബീം എക്‌സ്‌പോഷർ പ്ലേറ്റ് നിർമ്മാണത്തിന് .0 0.01 മൈക്രോൺ വരെ സ്ഥാന കൃത്യതയോടുകൂടിയ അൾട്രാ പ്രിസിഷൻ സിഎൻസി മാച്ചിംഗ് ഉപകരണങ്ങൾ ആവശ്യമാണ്.
